如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
网页2023年1月17日 以清洗药剂和纯水对碳化硅抛光片进行清洗处理，去除抛光片上残留的抛光液等表面沾污物，再通过超高纯氮气和甩干机将晶片吹干、甩干；将晶片在超净室封装
哔哩哔哩网页2021年8月5日 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、
网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿
网页2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制
知乎专栏网页2022年3月7日 2、衬底 长晶完成后，就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬
知乎专栏网页2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高
知乎专栏网页2019年9月5日 第三代半导体材料：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点，适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。 第三代半导体材料可以满足现代社
知乎专栏网页2020年12月8日 多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切
知乎专栏网页2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。
知乎专栏网页2021年10月15日 比亚迪 6月30日，比亚迪半导体上市申请获得受理，计划投资31亿元建设3个项目，其中包括建设SiC晶圆生产线。 该项目总投资超过73亿，年产能达到24万片
哔哩哔哩网页2021年8月5日 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作
知乎专栏网页2023年2月11日 基于电池成本节约和 800V 平台带来的优势，未来车用碳化硅市场规模有望快速扩大， 行业成长机遇显著。 据 Yole，2021 年全球碳化硅市场规模约为 685 亿美元，到 2026 年有望成长至 3810 亿美元，2021~2026 年间复合增速达 4096%。 其中，逆变器是车 用碳化硅的主要
知乎专栏网页2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的
科学网网页2019年4月11日 陈小龙：做国产碳化硅晶片产业探路者 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅晶片，中国科学院物理研究所科研团队精心打磨了20多年，终于
Csee[PDF]网页2020年3月16日 关键词：碳化硅；功率器件；二极管；结型场效应晶体管；金氧半场效晶体管；绝缘栅双极型晶体管；门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。0 引言 功率器件是电力电子技术的核心，在电力电子
知乎网页2021年12月24日 如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。
Siliconchina网页2020年10月31日 近年利用碳化硅材料制作的 IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等功率器件, 已可采用少子注入等工艺, 使其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一。再加上碳化硅器件本身发热量小, 因而碳化硅器件的导热性能极优。还有, 碳化硅功率器件可在 400℃ 的高温下正常工作。
国家自然科学基金委员会网页2021年7月21日 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。 科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展
21IC电子网网页2020年11月25日 解析碳化硅外延材料产业链 [导读] 与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多
电子工程专辑 EE Times China网页2023年5月4日 2022年4月，清芯半导体位于广东东莞的6英寸碳化硅功率器件 中试生产线 建设完成。 积塔1条SiC线投产，1条在建 2022年3月， 积塔半导体 表示，其碳化硅6英寸代工生产线，目前各项目顺利开展，将稳步按计划推进碳化硅MOSFET的投片、生产及产出。
知乎专栏网页2023年2月11日 基于电池成本节约和 800V 平台带来的优势，未来车用碳化硅市场规模有望快速扩大， 行业成长机遇显著。 据 Yole，2021 年全球碳化硅市场规模约为 685 亿美元，到 2026 年有望成长至 3810 亿美元，2021~2026 年间复合增速达 4096%。 其中，逆变器是车 用碳化硅的主要
电子工程专辑 EE Times China网页2022年10月24日 碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。 （1）注入掺杂：由于碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散， 制备碳化硅器件时PN结的掺杂只能依靠高温下离子注入的方式实现。 注入掺杂通常为硼、磷
前瞻网网页2020年6月18日 据悉，华润微电子于2018年12月开始筹划建设6英寸生产线，2019年9月SiC晶圆生产线正式落成。 由于现有的6英寸硅晶圆产线可以升级改造用于生产SiC器件，华润微充分利用Si功率器件生产线丰富的经验，以较少的投资完成了SiC生产线建设，充分利用了Si功率器件生产线丰富的经验。
中国科学院网页2007年7月13日 此前，碳化硅晶体生长及加工技术被国外少数公司垄断，国内所需的碳化硅晶片几乎全部依赖进口。 中科院物理所自1999年开展碳化硅晶体生长研究工作，在攻克晶体生长关键技术并获得高质量晶片之后，率先在国内开展了碳化硅晶体生长技术的产业化工作。
电子工程专辑 EE Times China网页2021年8月13日 碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工
EDN China 电子技术设计网页2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？ 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。 SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有
21IC电子网网页2020年11月25日 解析碳化硅外延材料产业链 [导读] 与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多
雪球网页2021年8月17日 据“三代半风向”了解，燕东微电子的碳化硅生产线也是基于国产核心装备。 4月13日，北京市科委的文件显示，“硅器件线改造成SiC器件线工艺研究项目” 验收通过 ，该项目是由燕东微电子与 北方华创 联合实施。 该生产线还采用了其他国产设备。 据北京华
搜狐网页2021年1月4日 晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供 4 英寸至 6英寸碳化硅晶片， CREE、 IIVI 等国际龙头企业已开始投资建
电子工程专辑 EE Times China网页2022年2月19日 碳化硅衬底加工难点 碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点： 一、对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上； 二、长晶速度慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶棒； 三、晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作
知乎专栏网页2023年2月11日 基于电池成本节约和 800V 平台带来的优势，未来车用碳化硅市场规模有望快速扩大， 行业成长机遇显著。 据 Yole，2021 年全球碳化硅市场规模约为 685 亿美元，到 2026 年有望成长至 3810 亿美元，2021~2026 年间复合增速达 4096%。 其中，逆变器是车 用碳化硅的主要
前瞻网网页2020年6月18日 据悉，华润微电子于2018年12月开始筹划建设6英寸生产线，2019年9月SiC晶圆生产线正式落成。 由于现有的6英寸硅晶圆产线可以升级改造用于生产SiC器件，华润微充分利用Si功率器件生产线丰富的经验，以较少的投资完成了SiC生产线建设，充分利用了Si功率器件生产线丰富的经验。
中国科学院网页2007年7月13日 此前，碳化硅晶体生长及加工技术被国外少数公司垄断，国内所需的碳化硅晶片几乎全部依赖进口。 中科院物理所自1999年开展碳化硅晶体生长研究工作，在攻克晶体生长关键技术并获得高质量晶片之后，率先在国内开展了碳化硅晶体生长技术的产业化工作。
电子工程专辑 EE Times China网页2021年8月13日 碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工
21IC电子网网页2020年11月25日 解析碳化硅外延材料产业链 [导读] 与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多
雪球网页2021年8月17日 据“三代半风向”了解，燕东微电子的碳化硅生产线也是基于国产核心装备。 4月13日，北京市科委的文件显示，“硅器件线改造成SiC器件线工艺研究项目” 验收通过 ，该项目是由燕东微电子与 北方华创 联合实施。 该生产线还采用了其他国产设备。 据北京华
电子工程专辑 EE Times China网页2023年5月4日 2022年4月，清芯半导体位于广东东莞的6英寸碳化硅功率器件 中试生产线 建设完成。 积塔1条SiC线投产，1条在建 2022年3月， 积塔半导体 表示，其碳化硅6英寸代工生产线，目前各项目顺利开展，将稳步按计划推进碳化硅MOSFET的投片、生产及产出。
搜狐网页2020年8月11日 去年五月，Cree方面宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。 这项标志着公司迄今为止最大的
财富号网页2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体器件
Jingheng网页2021年2月25日 碳化硅（ SiC ）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代 C、N、B 等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。 可以称为
